IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Document Number: 90365
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
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IRFZ20 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ20FI 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | TO-220AB
IRFZ20PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ22 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET TRANSISTORS
IRFZ22FI 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
IRFZ24 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ24A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET